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1N6484HE3/96

制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division
批号:新批次
描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	SUPERECTIFIER®
零件状态	有源
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1000V
电流 - 平均整流（Io）	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 1A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流	10µA @ 1000V
不同Vr，F 时的电容	8pF @ 4V，1MHz
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装	DO-213AB
工作温度 - 结	-65°C ~ 175°C

商品其它信息

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