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NSB8MTHE3/45

制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division
批号:新批次
描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	Digi-Key 停产
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1000V
电流 - 平均整流（Io）	8A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 8A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流	10µA @ 1000V
不同Vr，F 时的电容	55pF @ 4V，1MHz
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	TO-263AB
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C

商品其它信息

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