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FET,MOSFET - 单个
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TN2640N3-G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
220mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 2mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
225pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
740mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
商品其它信息
优势价格,TN2640N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN
暂无价格
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FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
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FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
暂无价格
参考库存:27035
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
暂无价格
参考库存:27043
FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:27051
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