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FET，MOSFET - 单个
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DN2535N5-G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
350V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
500mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
25 欧姆 @ 120mA，0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
商品其它信息
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