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FET,MOSFET - 单个
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IMW120R030M1HXKSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
CoolSiC™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1.2kV
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
40 毫欧 @ 25A,18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.7V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
63nC @ 18V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2.12nF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
优势价格,IMW120R030M1HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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