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FET，MOSFET - 单个
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TP0620N3-G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
175mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
12 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
150pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VMO1200-01F
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暂无价格
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