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FET，MOSFET - 单个
PSMN5R3-25MLDX参考图片

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PSMN5R3-25MLDX

  • Nexperia USA Inc.
  • 新批次
  • PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
5.9 毫欧 @ 15A， 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
12.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
858pF @ 12V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
51W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK33
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33
商品其它信息
优势价格，PSMN5R3-25MLDX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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