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FET，MOSFET - 单个
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IXFN50N80Q2

  • IXYS
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HiPerFET™
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
160 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
260nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
13500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1135W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
商品其它信息
优势价格，IXFN50N80Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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