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FET，MOSFET - 单个
SIHF12N60E-E3参考图片

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SIHF12N60E-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
380 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
58nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
937pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
优势价格，SIHF12N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPD30N03S2L-07
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参考库存:22599
PHK18NQ03LT,518
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MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
暂无价格
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IRF3709ZCSTRL
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暂无价格
参考库存:22615
IRF3415STRR
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
暂无价格
参考库存:22623
IRL3215
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FET，MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:22631
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