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FET，MOSFET - 单个
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IXTA1N100P

  • IXYS
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
Polar™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
15 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
15.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
331pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（IXTA）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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