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FET，MOSFET - 单个
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AON6358

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
42A（Ta），85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
2.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
47nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2200pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
商品其它信息
优势价格，AON6358的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDG312P
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暂无价格
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暂无价格
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BSL606SNH6327XTSA1
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暂无价格
参考库存:34524
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
暂无价格
参考库存:49526
BSP122,115
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
暂无价格
参考库存:19530
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