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FET,MOSFET - 单个

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GA50JT06-258

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
-
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 50A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
769W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 225°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-258
封装/外壳
TO-258-3,TO-258AA
商品其它信息
优势价格,GA50JT06-258的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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