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FET,MOSFET - 单个
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IPB140N08S404ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
80nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
161W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
商品其它信息
优势价格,IPB140N08S404ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220
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暂无价格
参考库存:27620
FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:27628
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
暂无价格
参考库存:27636
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
暂无价格
参考库存:27644
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