您好！欢迎来到中飞凌芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
FET，MOSFET - 单个
SI4778DY-T1-GE3参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

SI4778DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：49,990(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
23 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
680pF @ 13V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
商品其它信息
优势价格，SI4778DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI1305DL-T1-E3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
暂无价格
参考库存:29859
SIE860DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
暂无价格
参考库存:29867
BUK9518-55,127
NXP USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 57A TO220AB
暂无价格
参考库存:29875
SI4886DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:29883
SI1056X-T1-E3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
暂无价格
参考库存:29891
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市中飞凌科技有限公司

电话：0755-83002566

手机：15307553891

传真：0755-23890609

Email: 673288487@qq.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大厦1栋623


微信联系我们

Copyright © 2010-2023 深圳市中飞凌科技有限公司 粤ICP备2023011158号

24小时在线客服
热线电话

15307553891

微信联系我们 微信扫码联系我们