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FET，MOSFET - 单个

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TP65H300G4LSG

  • Transphorm
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  • GAN FET N-CH 650V PQFN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
312毫欧 @ 5A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.6nC @ 8V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
760pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
21W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）
封装/外壳
3-PowerDFN
商品其它信息
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