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FET，MOSFET - 单个

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IMBF170R650M1XTMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
CoolSiC™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V，15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
650毫欧 @ 1.5A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.7V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
8nC @ 12V
Vgs（最大值）
+20V， -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
422pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
88W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
商品其它信息
优势价格，IMBF170R650M1XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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