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FET，MOSFET - 单个
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IPI200N25N3GAKSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
20 毫欧 @ 64A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
86nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7100pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
商品其它信息
优势价格，IPI200N25N3GAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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