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FET，MOSFET - 单个
PMN40LN,135参考图片

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PMN40LN,135

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchMOS™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
38 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
555pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SC-74，SOT-457
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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