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FET，MOSFET - 单个
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BST72A,112

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
TrenchMOS™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
10 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
40pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
商品其它信息
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