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FET,MOSFET - 单个
IRF640FP参考图片

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IRF640FP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
MESH OVERLAY™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
180 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
72nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1560pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
优势价格,IRF640FP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET 101V~250V X2-DFN2020-6
暂无价格
参考库存:177530
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060
暂无价格
参考库存:43033
FET,MOSFET - 单个
MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
暂无价格
参考库存:43041
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:43049
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC-70FL
暂无价格
参考库存:43057
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