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FET,MOSFET - 单个
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BUK9C1R3-40EJ

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
190A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
190A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.3 毫欧 @ 90A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-7
封装/外壳
TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
商品其它信息
优势价格,BUK9C1R3-40EJ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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