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FET，MOSFET - 单个

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DMG2302UQ-7

制造商:Diodes Incorporated
批号:新批次
描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	594.3pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	800mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

商品其它信息

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