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FET,MOSFET - 单个
NTLJF3117PTAG参考图片

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NTLJF3117PTAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
6.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
531pF @ 10V
FET 功能
肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
710mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WDFN(2x2)
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
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暂无价格
参考库存:51770
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