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FET，MOSFET - 单个
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RW1A030APT2CR

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
42 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2700pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WEMT
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
商品其它信息
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