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FET，MOSFET - 单个
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IPD60R400CEATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
CoolMOS™ CE
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
400 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
32nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
700pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
商品其它信息
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