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FET，MOSFET - 单个
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AUIRLS3036-7P

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.9 毫欧 @ 180A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
160nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11270pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（7-Lead）
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9514-55A,127
Nexperia USA Inc.
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MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
暂无价格
参考库存:51005
SPB80N06S2-05
Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
暂无价格
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IRF7739L2TR1PBF
Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
暂无价格
参考库存:51037
IPB100N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
暂无价格
参考库存:51045
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
暂无价格
参考库存:51053
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