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FET，MOSFET - 单个

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CP798X-CPDM302PH-CT

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
91 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.6nC @ 5V
Vgs（最大值）
12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
800pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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