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FET,MOSFET - 单个

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MSC025SMA120J

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1.2kV
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
77A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
31 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
232nC @ 20V
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3020pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227(ISOTOP®)
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
商品其它信息
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