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FET,MOSFET - 单个
SI4425BDY-T1-GE3参考图片

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SI4425BDY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 11.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
商品其它信息
优势价格,SI4425BDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
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