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FET,MOSFET - 单个
SIHD5N50D-E3参考图片

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SIHD5N50D-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
325pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK(TO-252AA)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
优势价格,SIHD5N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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