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FET，MOSFET - 射频

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MRF8VP13350GNR3

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • TRANS RF LDMOS 350W 50V
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
1.3GHz
增益
19.2dB
电压 - 测试
50V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
100mA
功率 - 输出
350W
电压 - 额定
100V
封装/外壳
OM-780G-4L
供应商器件封装
OM-780G-4L
商品其它信息
优势价格，MRF8VP13350GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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