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FET，MOSFET - 射频
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MHT1108NT1

  • NXP USA Inc.
  • 新批次
  • RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
LDMOS
频率
2.45GHz
增益
18.6dB
电压 - 测试
32V
额定电流（安培）
10µA
噪声系数
-
电流 - 测试
110mA
功率 - 输出
12.5W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
16-VDFN 裸焊盘
供应商器件封装
16-DFN（4x6）
商品其它信息
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