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FET，MOSFET - 阵列
SI4599DY-T1-GE3参考图片

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SI4599DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.8A，5.8A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
35.5 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
640pF @ 20V
功率 - 最大值
3W，3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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