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FET，MOSFET - 阵列
DMN65D8LDW-7参考图片

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DMN65D8LDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
6 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
22pF @ 25V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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