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FET，MOSFET - 阵列
SIZF906DT-T1-GE3参考图片

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SIZF906DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
22nC @ 4.5V，92nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
功率 - 最大值
38W（Tc），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（6x5）
商品其它信息
优势价格，SIZF906DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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