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FET，MOSFET - 阵列
DMT3020LFDB-7参考图片

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DMT3020LFDB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
20 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
393pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
商品其它信息
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