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FET，MOSFET - 阵列
SISF00DN-T1-GE3参考图片

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SISF00DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2700pF @ 15V
功率 - 最大值
69.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SCD
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SCD
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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