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FET，MOSFET - 阵列
SQJ940EP-T1_GE3参考图片

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SQJ940EP-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A（Ta），18A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
16 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
20nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
896pF @ 20V
功率 - 最大值
48W，43W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双通道不对称
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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