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FET，MOSFET - 阵列
DMG6968UDM-7参考图片

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DMG6968UDM-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
143pF @ 10V
功率 - 最大值
850mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6
供应商器件封装
SOT-26
商品其它信息
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