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FET，MOSFET - 阵列
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SMA5125

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  • MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
140 毫欧 @ 5A，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
460pF @ 10V
功率 - 最大值
4W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
12-SIP
供应商器件封装
12-SIP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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