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FET，MOSFET - 阵列
DMC1030UFDBQ-13参考图片

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DMC1030UFDBQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.1A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
34 毫欧 @ 4.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
23.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1003pF @ 6V
功率 - 最大值
1.36W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6（B 类）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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