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FET，MOSFET - 阵列
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NTHD2102PT1

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
58 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
16nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
715pF @ 6.4V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
ChipFET™
商品其它信息
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