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FET，MOSFET - 阵列

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VQ1001P-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
4 个 N 通道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
830mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.75 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
110pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
-
供应商器件封装
14-DIP
商品其它信息
优势价格，VQ1001P-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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