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FET，MOSFET - 阵列
MCH6660-TL-H参考图片

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MCH6660-TL-H

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A，1.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
136 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
128pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
6-MCPH
商品其它信息
优势价格，MCH6660-TL-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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