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FET,MOSFET - 阵列

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APTC60AM83BC1G

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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
CoolMOS™
零件状态
停產
FET 类型
3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
FET 功能
超级结
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
36A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
83 毫欧 @ 24.5A、 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7200pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP1
供应商器件封装
SP1
商品其它信息
优势价格,APTC60AM83BC1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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