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UGBT、MOSFET - 单

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FGH20N60SFDTU

制造商:ON Semiconductor
批号:新批次
描述:IGBT 600V 40A 165W TO247
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.8V @ 15V，20A
功率 - 最大值	165W
开关能量	370µJ（开），160µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	65nC
25°C 时 Td（开/关）值	13ns/90ns
测试条件	400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	34ns
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247-3

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