RJP60F4DPM-00#T1详细信息_RJP60F4DPM-00#T1相关参数PDF_Renesas Electronics America-中飞凌芯城

您好！欢迎来到中飞凌芯城登录注册

产品分类

首页商品目录品牌专区 BOM配单品牌入驻自营现货

UGBT、MOSFET - 单

RJP60F4DPM-00#T1参考图片

图片仅供参考，请参阅产品规格

分享到：
0

RJP60F4DPM-00#T1

制造商:Renesas Electronics America
批号:新批次
描述:IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
PDF下载:

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

公司名：
*联系人：
*电话：
*邮箱：

微信： QQ：

库存：2,852(价格仅供参考)

数量	单价	合计
暂无价格,请联系询价

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

PDF资料下载
RJP60F4DPM-00#T1 PDF资料下载

参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	1.82V @ 15V，30A
功率 - 最大值	41.2W
开关能量	-
输入类型	标准
栅极电荷	标准
25°C 时 Td（开/关）值	45ns/70ns
测试条件	400V，30A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装	TO-3PFM

商品其它信息

优势价格，RJP60F4DPM-00#T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	IRG4IBC30SPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP	暂无价格	参考库存:41787
	IRGSL4062DPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 48A 250W TO262	暂无价格	参考库存:41795
	IRG4BC15UD-LPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 14A 49W TO262	暂无价格	参考库存:41803
	IXSH24N60BD1	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 48A 150W TO247	暂无价格	参考库存:41811
	IXGM20N60	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	POWER MOSFET TO-3	暂无价格	参考库存:41819

一站式采购
正品保障
价格优势
闪电发货

原厂渠道，一手货源，原装正品，1小时发货

最新动态
企业动态
产品动态

深圳市中飞凌科技有限公司

电话：0755-83002566

手机：15307553891

传真：0755-23890609

Email: 673288487@qq.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大厦1栋623

微信联系我们

Copyright © 2010-2023 深圳市中飞凌科技有限公司粤ICP备2023011158号

24小时在线客服

在线客服一

热线电话

15307553891

微信联系我们

微信扫码联系我们