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UGBT、MOSFET - 单
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STGB20NB37LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 425V 40A 200W D2PAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
425V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值
200W
开关能量
11.8mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
51nC
25°C 时 Td（开/关）值
2.3µs/2µs
测试条件
250V，20A，1 千欧，4.5V
反向恢复时间（trr）
250V，20A，1 千欧，4.5V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
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