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UGBT、MOSFET - 单
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STGD5NB120SZT4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
PowerMESH™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
10A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,5A
功率 - 最大值
75W
开关能量
2.59mJ(开),9mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
标准
25°C 时 Td(开/关)值
690ns/12.1µs
测试条件
960V,5A,1 千欧,15V
反向恢复时间(trr)
960V,5A,1 千欧,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
DPAK
商品其它信息
优势价格,STGD5NB120SZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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