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UGBT、MOSFET - 单
STGW60H65DRF参考图片

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STGW60H65DRF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 650V 120A 420W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.4V @ 15V，60A
功率 - 最大值
420W
开关能量
940µJ（开），1.06mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
217nC
25°C 时 Td（开/关）值
85ns/178ns
测试条件
400V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
19ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
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